内存时序c30怎么调到最优

时序参数
内存时序由一系列数字表示，例如 16-18-18-38。 这些数字分别代表以下延迟：
CL（CAS 延迟）：从发出命令到读取数据所消耗的时间。
tRCD（行地址到列地址延迟）：从发出行地址到发出列地址所消耗的时间。
tRP（行预充电时间）：从发出行激活命令到发出行预充电命令所消耗的时间。
tRAS（行地址选通信号保持时间）：从发出行激活命令到发出行预充电命令所消耗的最小时间。
优化步骤
1. 确定内存的固有时序
查找内存模块上印刷的标签，或在制造商的网站上查找。
通常，时序将以 16-18-18-38 等格式打印。
2. 启用 XMP 或 DOCP
XMP（极端内存配置文件）和 DOCP（直接内存配置文件）是预定义的内存配置文件，可优化时序和电压设置。
在 BIOS 中，启用 XMP 或 DOCP 可以自动应用这些设置。
3. 手动调整时序
如果 XMP/DOCP 无法实现最佳性能，或你希望进一步优化，则需要手动调整时序。
递减 CL 时序，同时检查稳定性。 如果系统不稳定，请将 CL 增加回去。
逐渐降低 tRCD、tRP 和 tRAS 时序，直至系统不稳定，然后将其增加回去。
调整时序时，请逐个进行，并仔细观察系统稳定性。
4. 提高电压
如果在降低时序时遇到不稳定，则可以尝试略微提高内存电压。
仅将电压增加 0.05V 的增量，并检查稳定性。
不要超出手册中建议的最大电压。
5. 测试稳定性
使用内存测试软件（如 MemTest86+）测试稳定性。
运行测试至少几个小时，以确保内存可靠。
注意事项
调整内存时序可能会导致系统不稳定。
在进行更改之前，请备份重要数据。
仅在了解风险并有信心时才尝试手动调节时序。
如果系统不稳定，请恢复默认时序或联系技术支持。