内存超频4000时序和电压

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壹、给内存超频，怎样调整内存电压和时序可以使内存在更大的频率下稳定运行？

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当频率为主要因素时，应适当调整cl值。 如果不稳定，可以增加总值（四个计时项中的最后一项）。 调整到基本最大频率后，可以尝试将电压提高到更大的频率。 DDR3为1.65v，DDR4为0.5v。 一般频率值增加一级（每级大约相距266mhz），cl值增加1。 （同样的内存也是如此。 ）比如ddr31600mhzcl9内存一般超频到2133mhzcl11，但当然也可以超频到1866mhzcl10。 (1600-1866-21339-10-11)如果较高，可以尝试提高电压。
当然，最重要的还是身体问题。 目前最好使用三星b-die芯片内存，比如3000mhz频率的cl14，其次是3000mhzcl16。 最好的ddr3是美光的1600mhz、cl8、1.35v。 当超频到2133mhz（1.5v时）时，只有cl9，相当强大。

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贰、4000频率内存最佳时序电压

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电压为1.45V。 4000频内存的最佳时序电压是1.45V，因为4000C14延迟一般可以承受1.45V以内的电压，特殊的超频颗粒可以承受1.7V以内的电压。