3200内存时序调整

内存时序是指一组参数，决定了内存访问的延迟。 优化内存时序可以显着提高系统性能，特别是对于延迟敏感的应用程序。 以下是对 3200MHz 内存进行时序调整的专业指南：
1. 确定现有的时序
使用 CPU-Z 或其他系统信息工具确定内存当前的时序。 这通常表示为一组四个数字，例如 16-18-18-36，其中：
第一组数字：CAS 延迟 (CL)
第二组数字：行地址到列地址延迟 (tRCD)
第三组数字：列地址到列地址延迟 (tRP)
第四组数字：激活到预充电延迟 (tRAS)
2. 调整 CL 延迟
CL 延迟是内存访问的第一个延迟，也是最重要的时序。 从 16 逐渐将 CL 延迟降至 14 或 12。 如果系统不稳定，请将其恢复到较高的值。
3. 优化 tRCD 和 tRP
tRCD 和 tRP 是随 CL 延迟一起优化的一对时序。 尝试将 tRCD 设置为 CL 延迟的 2 倍，并将 tRP 设置为 tRCD + 2。
4. 调整 tRAS
tRAS 是相对较长延迟。 尝试将其设置为 tCL + tRCD + tRP。
5. 其他时序
除了上述主要时序外，还有许多其他时序可以调整。 以下是一些建议：
tRFC (刷新周期)：350-600 纳秒
tRFC2 (刷新周期 2)：200-300 纳秒
tFAW (行激活窗口)：30-38
tRRDL (读取到读取延迟)：4-8
6. 稳定性测试
调整时序后，使用 MemTest86+ 或其他内存稳定性测试实用程序进行压力测试，以确保稳定性。 如果出现错误，请将时序恢复到较保守的值。
7. 逐步调整
不要一次调整多个时序。 逐步进行，每次仅调整一个时序。 这有助于确定哪个时序对系统稳定性和性能有最大影响。
注意：
不同的内存模块具有不同的时序范围。 始终参考制造商的规格以确定建议的时序。
时序调整可能导致系统不稳定。 如果遇到问题，请将时序恢复到更保守的值。
时序调整对系统性能的影响可能因应用程序而异。