内存时序c32与c30差距多大

内存时序是一组描述内存模块性能的参数，包括：
CAS延迟（CL）：从发出列地址信号到数据可用所需的时间。
行地址到列地址延迟（tRCD）：从发出行地址信号到发出列地址信号所需的时间。
行预充电时间（tRP）：从发出预充电命令到新行地址可以被激活所需的时间。
行激活到行激活时间（tRAS）：从一个行被激活到另一个行可以被激活所需的时间。
CL32 与 CL30 的差距
CL32 和 CL30 是 CAS 延迟的两个常见值。 对于相同类型的内存模块，较低的 CAS 延迟通常意味着更快的性能。
CL32 和 CL30 之间的差距因内存模块的频率和容量而异。 一般来说，差距在：
100-200ns，用于较低频率的内存（如 DDR4 2133MHz）
50-100ns，用于较高频率的内存（如 DDR4 3200MHz 或更高）
影响因素
除了 CAS 延迟之外，以下因素还会影响内存时序之间的差距：
内存类型：DDR3、DDR4、DDR5 等不同类型的内存有不同的时序规范。
内存容量：容量较大的内存模块通常具有更高的时序。
内存品牌和型号：不同制造商和型号的内存模块可能采用不同的时序。
性能影响
在现实世界中，CL32 和 CL30 之间的性能差距相对较小，尤其是在日常应用中。 对于大多数用户来说，CL32 和 CL30 内存之间的价格差异可能是做出购买决策时更重要的因素。
但是，对于对延迟敏感的应用程序（如游戏和视频编辑），CL30 内存可能提供轻微的性能优势。