内存超频时序是哪四个

四个内存时间数字对应的参数是CL、tRCD、tRP和tRAS，单位是时间间隔。

没错，时间越低越好，但是要看具体情况。内存超频后，时间会增加。

4内存时间参数为3200(16)8G×16，CL16-16-161.35V较好，默认为DDR42133，时序BIOS中内存SPD参数的前提是主板BIOS提供此功能，降低tCAStRCDtRPtRAS等四个选项的值。出于稳定性考虑，不建议对内存进行超频和随意修改内存时序参数。.

内存时序参数包含以下四个参数：CALatencyTimeActivetoPerchargeDelayDRAMRAS#TOCASDELAYDRAMRAS#PERCHARGE5-5-5-15ACCOUNTINGATTRACTIVEFORMS(DISCUSSIONBEAUTIFUL(DISCUSSIONDISCUSSIONSFOREXCELLENTSFORIMPROVALADVANTAGES)。

ỷmuyenddr，1g的时间为3338，时间结束时的时间最多为16161635，按照规则。